2·光電二極管光電二極管的管芯也是一個PN結(jié)，只是結(jié)面積比普通二極管大，便于接收光線。但和普通二極管不同，光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小，只有0 1微安左右。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對叫光生載流子，它們參加導電會增大反向飽和電流。光生載流子的數(shù)量與光強度有關(guān)，因此，反向飽和電流會隨著光強的變化而變化，從而可以把光信號的變化轉(zhuǎn)為電流及電壓的變化。光電二極管的結(jié)構(gòu)及符號如圖表-29所示。光電二極管主要用于近紅外探測器及光電轉(zhuǎn)換的自動控制儀器中，還可以作為光導纖維通信的接收器件。消費電子：智能手機、智能穿戴設備。江蘇推廣半導體器件服務熱線

半導體光電子器件的發(fā)展始于二極管，二極管作為半導體技術(shù)發(fā)展之路的開山鼻祖，其所包含的半導體勢壘結(jié)構(gòu)是所有半導體器件、集成電路必不可少的基礎元素，在二極管技術(shù)的根基上，不僅發(fā)展出了集成電路，也被廣泛應用于光電領(lǐng)域 [4]。1907年，在馬可尼實驗室工作的亨利·朗德(Henry Round)觀察到了碳化硅二極管的發(fā)光現(xiàn)象。1920年代，蘇聯(lián)科學家奧列格·V·洛謝夫(Oleg V.Losev)發(fā)現(xiàn)通過電流的整流二極管會發(fā)光，并記錄了二極管發(fā)光的電流閾值和發(fā)光光譜 [4]。宜興附近半導體器件廠家直銷半導體器件是利用半導體材料（如硅、鍺等）制造的電子元件，廣泛應用于現(xiàn)代電子設備中。

原理簡介早在19世紀末就已經(jīng)開始研究半導體硒中的光電現(xiàn)象，后來硒光電池得到應用，這幾乎比晶體管的發(fā)明早80年，但當時人們對半導體還缺乏了解，進展緩慢。30年代開始的對半導體基本物理特性（如能帶結(jié)構(gòu)、電子躍遷過程等）的研究，特別是對半導體光學性質(zhì)的研究為半導體光電子器件的發(fā)展奠定了物理基礎 [1]。1962年，R.N.霍耳和M.I.內(nèi)森研制成功注入型半導體激光器，解決了高效率的光信息載波源，擴展了光電子學的應用范圍，光電子器件因而得到迅速發(fā)展 [2]。

圖表-22是發(fā)光二極管的外形用符號圖。2·發(fā)光數(shù)字管把磷化鎵發(fā)光管或磷化鎵發(fā)光管的管芯制成條狀，用七條發(fā)光管組成七段式數(shù)字顯示管，可以顯示從0到9的十個數(shù)字。這種半導體數(shù)字顯示管的優(yōu)點是體積小、耗電省、壽命長、響應速度快。它可以作為各種小型計算器及數(shù)字顯示儀表的數(shù)字顯示用。圖：3-33為半導體發(fā)光數(shù)碼管的示意圖。3·光電耦合器把半導體發(fā)光器件和光敏器件組合封閉裝在一起，就組成了具有電---光---電轉(zhuǎn)換功能的光電耦合器。顯然，給耦合器輸入一個電信號，發(fā)光器件就發(fā)光，光被光接收器件接收后，又轉(zhuǎn)成換成電信號輸出。因為輸入主輸出之間用光進行耦合。所以輸出端對輸入端沒有反饋，具有優(yōu)良的隔離性能和抗干擾性能。光電耦合器又是光電開關(guān)，這種光電開關(guān)不存在繼電器中機械點易疲勞的問題，可靠性很高。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是產(chǎn)品。它們在電子設備中起著至關(guān)重要的作用，廣泛應用于計算機、手機、電視、汽車等各種電子產(chǎn)品中。宜興附近半導體器件現(xiàn)貨

處理離散信號（如二進制數(shù)據(jù)），如微處理器（CPU）、存儲器（DRAM、Flash）、邏輯門電路。江蘇推廣半導體器件服務熱線

1952年，發(fā)現(xiàn)了硅、鍺半導體材料注入發(fā)光的現(xiàn)象。注入到半導體中的非平衡電子－空穴對以某種方式釋放多余的能量而回到初始平衡狀態(tài)。輻射光子是一種釋放能量的方式，但是由于鍺、硅都屬間接帶材料（導帶底與價帶頂不在動量空間的同一位置），為了滿足躍遷過程的動量守恒原則（圖4），這就要求大量聲子同時參與躍遷過程，屬多體過程。因此帶間復合發(fā)光的效率很低（小于0.01%）。許多化合物材料如GaAs、InGaAsP為直接帶材料（導帶底與價帶頂在動量空間同一位置），帶間輻射躍遷過程幾乎無需聲子參與（圖5） [1]。因此發(fā)光效率很高，LED的光學參數(shù)（如主波長、亮度）與PN結(jié)結(jié)溫密切相關(guān)，結(jié)溫升高會導致主波長向長波漂移（波長紅移），發(fā)光亮度下降 [5-6]。大注入下內(nèi)量子效率幾乎達100%，高效率的電子-空穴對復合發(fā)光效應是一切半導體發(fā)光器件的物理基礎 [1]。江蘇推廣半導體器件服務熱線

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