廣東華升納米科技股份有限公司2026-02-04

華升納米真空鍍膜機(jī)的靶向刻蝕是G4設(shè)備特有的刻蝕技術(shù)，內(nèi)部也叫HET刻蝕技術(shù)，PVD鍍膜刻蝕時，靶材作為陽極，可更高效的提高刻蝕效率以及繞射性等，提高平面和凹槽的刻蝕效果，是非常有效的金屬表面處理手段。G4的靶材為長形平面靶，利用左右兩側(cè)的長靶作為陽極，燈絲作為離子源，刻蝕時，等離子體可均勻包裹工件架上中下，以及夾具盤，起到均勻刻蝕，深度刻蝕的效果。此外，PVD鍍膜刻蝕時，燈絲電流的大小，燈絲線圈磁場的強(qiáng)度，以及陽極電流和靶面磁場的配合的調(diào)整，可確保刻蝕效果的重復(fù)和高質(zhì)量。

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