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光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都明顯提升了光刻機所能實現(xiàn)的工藝節(jié)點。為接觸式光刻機。曝光方式為掩模版與半導(dǎo)體基片之間靠控制真空度實現(xiàn)緊密接觸，使用光源分別為g線和i線。接觸式光刻機由于掩模與光刻膠直接接觸，所以易受污染，掩模版和基片容易受到損傷，掩模...

基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結(jié)構(gòu)，受光學(xué)衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細結(jié)構(gòu)制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現(xiàn)0.1μm。但利用這種光刻技術(shù)實現(xiàn)宏觀面...

用O2等離子體對樣品整體處理，以清理顯影后可能的非望殘留。特別是負膠但也包括正膠，在顯影后會在原來膠-基板界面處殘留聚合物薄層，這個問題在結(jié)構(gòu)小于1um或大深-寬比的結(jié)構(gòu)中更為嚴重。當然過程中留膠厚度也會降低，但是影響不會太大。在刻蝕或鍍膜之前需要硬烤以去除殘...

在勻膠工藝中，轉(zhuǎn)速的快慢和控制精度直接關(guān)系到旋涂層的厚度控制和膜層均勻性。勻膠機的轉(zhuǎn)速精度是一項重要的指標。用來吸片的真空泵一般選擇無油泵，上配有壓力表，同時現(xiàn)在很多勻膠機有互鎖，未檢測的真空將不會啟動。有時會出現(xiàn)膠液進入真空管道的現(xiàn)象，有的勻膠機廠商會在某一...

光源的穩(wěn)定性對于光刻工藝的一致性和可靠性至關(guān)重要。在光刻過程中，光源的微小波動都可能導(dǎo)致曝光劑量的不一致，從而影響圖形的對準精度和終端質(zhì)量。為了確保光源的穩(wěn)定性，光刻機通常采用先進的控制系統(tǒng)，實時監(jiān)測和調(diào)整光源的強度和波長。這些系統(tǒng)能夠自動補償光源的波動，確保...

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將被刻蝕固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，是因為所使用的腐蝕液可以非常精確地腐蝕特定薄膜。對于大多數(shù)刻蝕方案，選擇性大于100:1。濕法腐蝕必須滿足以下要求：1.不得腐蝕掩模層；2.選擇性必須高；3.蝕刻過程必須能夠通過用...

二氧化硅的濕法刻蝕通常使用HF。因為1∶1的HF（H2O中49%的HF）在室溫下刻蝕氧化物速度過快，所以很難用1∶1的HF控制氧化物的刻蝕。一般用水或緩沖溶劑如氟化銨（NH4F）進一步稀釋HF降低氧化物的刻蝕速率，以便控制刻蝕速率和均勻性。氧化物濕法刻蝕中所使...

從對準信號上分，主要包括標記的顯微圖像對準、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。對準法則是光刻只是把掩膜版上的Y軸與晶園上的平邊成90o，如圖所示。接下來的掩膜版都用對準標記與上一層帶有圖形的掩膜對準。對準標記是一個特殊的圖形，分布在每個芯片圖形的邊緣。經(jīng)過...

視頻圖像處理對準技術(shù)，是指在光刻套刻的過程中，掩模圖樣與硅片基板之間基本上只存在相對旋轉(zhuǎn)和平移，充分利用這一有利條件，結(jié)合機器視覺映射技術(shù)，利用相機采集掩模圖樣與硅片基板的對位標記信號。此種方法看上去雖然與雙目顯微鏡對準有些類似，但是實質(zhì)其實有所不同。場像處理...

曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（被稱為當前層（currentlayer）必須與晶圓襯底上已有的圖形（被稱為參考層（referencelayer））對準。這樣才能保證器件各部分之間連接正確。對準誤差太大是導(dǎo)致器件短路和斷路的主要原因之一，它極大地影響器件的良率。...

鋁（Aluminium）是一種銀白色輕金屬，密度為2.70g/cm3。熔點660℃。易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。在常溫下能形成一層防止金屬腐蝕的氧化膜。鋁的濕法刻蝕溶液主要是磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液，其中，磷酸為主腐蝕液...

曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（被稱為當前層（currentlayer）必須與晶圓襯底上已有的圖形（被稱為參考層（referencelayer））對準。這樣才能保證器件各部分之間連接正確。對準誤差太大是導(dǎo)致器件短路和斷路的主要原因之一，它極大地影響器件的良率。...

目前，國內(nèi)光刻膠原材料市場基本被國外廠商壟斷，尤其是樹脂和感光劑高度依賴于進口，國產(chǎn)化率很低，由此增加了國內(nèi)光刻膠生產(chǎn)成本以及供應(yīng)鏈風(fēng)險。國內(nèi)企業(yè)基于危機意識在上游原材料領(lǐng)域已展開相關(guān)布局。從上市公司在光刻膠原材料的布局情況來看，溶劑方面有百川股份、怡達股份等...

泛曝光是在不使用掩膜的曝光過程，會對未暴露的光刻膠區(qū)域進行曝光，從而可以在后續(xù)的顯影過程被溶解顯影。為了使光刻膠輪廓延伸到襯底，(襯底附近)光刻膠區(qū)域也應(yīng)獲得足夠的曝光劑量。泛曝光的劑量過大并不會影響后續(xù)的工藝過程，因為曝光區(qū)域的光刻膠在反轉(zhuǎn)烘烤過程中已經(jīng)不再...

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對于1.5um膠厚±0.3%)。光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性...

在光學(xué)光刻中，光致抗蝕劑通過光掩模用紫外光曝光。紫外接觸式曝光機使用了較短波長的光（G線435nm，H線405nm，I線365nm）。接觸光刻機屬于這種光學(xué)光刻。掩膜版的制作則是通過無掩膜光刻技術(shù)得到。設(shè)計圖案由于基本只用一次，一般使用激光直寫技術(shù)或者電子束制...

第三代為掃描投影式光刻機。中間掩模版上的版圖通過光學(xué)透鏡成像在基片表面，有效地提高了成像質(zhì)量，投影光學(xué)透鏡可以是1∶1，但大多數(shù)采用精密縮小分步重復(fù)曝光的方式（如1∶10，1∶5，1∶4）。IC版圖面積受限于光源面積和光學(xué)透鏡成像面積。光學(xué)曝光分辨率增強等光刻...

隨著光刻對準技術(shù)的發(fā)展，一開始只是作為評價及測試光柵質(zhì)量的莫爾條紋技術(shù)在光刻對準中的應(yīng)用也得到了更深層的開發(fā)。起初，其只能實現(xiàn)較低精度的人工對準，但隨著細光柵衍射理論的發(fā)展，利用莫爾條紋相關(guān)特性漸漸也可以在諸如納米壓印光刻對準等高精度對準領(lǐng)域得到應(yīng)用。莫爾條紋...

濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學(xué)反應(yīng)。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無論條件調(diào)整得多么精細，濕法蝕刻都難以實現(xiàn)1μm以下的精細加工。其原因之一...

光刻工藝就是將光學(xué)掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠中。掩膜版按基板材料分為樹脂和玻璃基板，其中玻璃基板又包含石英玻璃，硅硼玻璃，蘇打玻璃等，石英玻璃硬度高，熱膨脹系數(shù)低但價格較高等主要用于高精度領(lǐng)域；按光學(xué)掩膜版的遮光材料可分為乳膠遮光模和硬質(zhì)遮光膜，硬質(zhì)遮光膜又細分...

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的...

鋁（Aluminium）是一種銀白色輕金屬，密度為2.70g/cm3。熔點660℃。易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。在常溫下能形成一層防止金屬腐蝕的氧化膜。鋁的濕法刻蝕溶液主要是磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液，其中，磷酸為主腐蝕液...

光刻工藝就是將光學(xué)掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠中。掩膜版按基板材料分為樹脂和玻璃基板，其中玻璃基板又包含石英玻璃，硅硼玻璃，蘇打玻璃等，石英玻璃硬度高，熱膨脹系數(shù)低但價格較高等主要用于高精度領(lǐng)域；按光學(xué)掩膜版的遮光材料可分為乳膠遮光模和硬質(zhì)遮光膜，硬質(zhì)遮光膜又細分...

現(xiàn)有光刻主要利用的是光刻膠中光敏分子的單光子吸收效應(yīng)所誘導(dǎo)的光化學(xué)反應(yīng)。光敏分子吸收一個能量大于其比較低躍遷能級的光子，從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，經(jīng)過電子態(tài)之間的轉(zhuǎn)移生成活性種，誘發(fā)光聚合、光分解等化學(xué)反應(yīng)，使光刻膠溶解特性發(fā)生改變。光刻分辨率的物理極限與光源波長和...

剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除光刻膠獲得圖案化的金屬的工藝。在剝離工藝中，有幾種關(guān)鍵因素影響得到的金屬形貌。1.光刻膠的厚度。光刻膠厚度需大于金屬厚度，一般光刻膠厚度在金屬厚度的三倍以上膠面上的金屬更易成功剝離。2.光刻膠...

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對于1.5um膠厚±0.3%)。光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性...

剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除光刻膠獲得圖案化的金屬的工藝。在剝離工藝中，有幾種關(guān)鍵因素影響得到的金屬形貌。1.光刻膠的厚度。光刻膠厚度需大于金屬厚度，一般光刻膠厚度在金屬厚度的三倍以上膠面上的金屬更易成功剝離。2.光刻膠...

雙面對準光刻機采用底部對準（BSA）技術(shù)，能實現(xiàn)“雙面對準，單面曝光”。該設(shè)備對準精度高，適用于大直徑基片。在對準過程中，圖形處理技術(shù)起到了至關(guān)重要的作用。其基本工作原理是將CCD攝像頭采集得到的連續(xù)模擬圖像信號經(jīng)圖像采集卡模塊的D/A轉(zhuǎn)換，變?yōu)閿?shù)字圖像信號，...

曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（被稱為當前層（currentlayer）必須與晶圓襯底上已有的圖形（被稱為參考層（referencelayer））對準。這樣才能保證器件各部分之間連接正確。對準誤差太大是導(dǎo)致器件短路和斷路的主要原因之一，它極大地影響器件的良率。...

光源的選擇不但影響光刻膠的曝光效果和穩(wěn)定性，還直接決定了光刻圖形的精度和生產(chǎn)效率。選擇合適的光源可以提高光刻圖形的分辨率和清晰度，使得在更小的芯片上集成更多的電路成為可能。同時，優(yōu)化光源的功率和曝光時間可以縮短光刻周期，提高生產(chǎn)效率。然而，光源的選擇也需要考慮...