隨著光刻對準(zhǔn)技術(shù)的發(fā)展，一開始只是作為評價及測試光柵質(zhì)量的莫爾條紋技術(shù)在光刻對準(zhǔn)中的應(yīng)用也得到了更深層的開發(fā)。起初，其只能實現(xiàn)較低精度的人工對準(zhǔn)，但隨著細光柵衍射理論的發(fā)展，利用莫爾條紋相關(guān)特性漸漸也可以在諸如納米壓印光刻對準(zhǔn)等高精度對準(zhǔn)領(lǐng)域得到應(yīng)用。莫爾條紋是兩條光柵或其他兩個物體之間，當(dāng)它們以一定的角度和頻率運動時，會產(chǎn)生干涉條紋圖案。當(dāng)人眼無法看到實際物體而只能看到干涉花紋時，這種光學(xué)現(xiàn)象就是莫爾條紋。L.Rayleigh對這個現(xiàn)象做出了解釋，兩個重疊的平行光柵會生成一系列與光柵質(zhì)量有關(guān)的低頻條紋，他的理論指出當(dāng)兩個周期相等的光柵柵線以一定夾角平行放置時，就會產(chǎn)生莫爾條紋，而周期不相等的兩個光柵柵線夾角為零（柵線也保持平行）平行放置時，也會產(chǎn)生相對于光柵周期放大的條紋。底部對準(zhǔn)（ BSA）技術(shù)，能實現(xiàn)“ 雙面對準(zhǔn)，單面曝光”。上海MEMS材料刻蝕

光刻膠原料是光刻膠產(chǎn)業(yè)的重要環(huán)節(jié)，原料的品質(zhì)也決定了光刻膠產(chǎn)品品質(zhì)。光刻膠上游原材料是指光刻膠化學(xué)品一級原料，可以細分為感光劑、溶劑、成膜樹脂及添加劑（助劑、單體等）。在典型的光刻膠組分中，一般溶劑含量占到65%-90%，成膜樹脂占5%-25%，感光劑及添加劑占15%以下。我國對光刻膠及化學(xué)品的研究起步較晚，盡管取得了一定成果，但技術(shù)水平仍與國際水平相差較大，作為原料的主要化學(xué)品仍然需要依賴進口。同時在當(dāng)前市場中，受光刻膠產(chǎn)品特性影響，光刻膠用原材料更偏向于客制化產(chǎn)品，原材料需要滿足特定的分析結(jié)構(gòu)、分子量、純度以及粒徑控制等。江西材料刻蝕廠商精確控制光刻環(huán)境是確保產(chǎn)品一致性的關(guān)鍵。

曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（被稱為當(dāng)前層（currentlayer）必須與晶圓襯底上已有的圖形（被稱為參考層（referencelayer））對準(zhǔn)。這樣才能保證器件各部分之間連接正確。對準(zhǔn)誤差太大是導(dǎo)致器件短路和斷路的主要原因之一，它極大地影響器件的良率。在集成電路制造的流程中，有專門的設(shè)備通過測量晶圓上當(dāng)前圖形（光刻膠圖形）與參考圖形（襯底內(nèi)圖形）之間的相對位置來確定套刻的誤差（overlay）。套刻誤差定量地描述了當(dāng)前的圖形相對于參考圖形沿X和Y方向的偏差，以及這種偏差在晶圓表面的分布。與圖形線寬（CD）一樣，套刻誤差也是監(jiān)測光刻工藝好壞的一個關(guān)鍵指標(biāo)。理想的情況是當(dāng)前層與參考層的圖形正對準(zhǔn)，即套刻誤差是零。為了保證設(shè)計在上下兩層的電路能可靠連接，當(dāng)前層中的某一點與參考層中的對應(yīng)點之間的對準(zhǔn)偏差必須小于圖形間距的1／3。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當(dāng)中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。TMAH稀溶液在光刻中普遍用于光刻膠的顯影。

濕法刻蝕是集成電路制造工藝采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。尤其是在對氧化物去除殘留與表皮剝離的刻蝕中，比干法刻蝕更為有效和經(jīng)濟。濕法刻蝕的對象主要有氧化硅、氮化硅、單晶硅或多晶硅等。濕法刻蝕氧化硅通常采用氫氟酸（HF）為主要化學(xué)載體。為了提高選擇性，工藝中采用氟化銨緩沖的稀氫氟酸。為了保持pH值穩(wěn)定，可以加入少量的強酸或其他元素。摻雜的氧化硅比純氧化硅更容易腐蝕。濕法化學(xué)剝離(WetRemoval）主要是為了去除光刻膠和硬掩模（氮化硅）。熱磷酸（H3PO4）是濕法化學(xué)剝離去除氮化硅的主要化學(xué)液，對于氧化硅有較好的選擇比。在進行這類化學(xué)剝離工藝前，需要將附在表面的氧化硅用HF酸進行預(yù)處理，以便將氮化硅均勻地消除掉。速度和加速度是決定勻膠獲得薄膜厚度的關(guān)鍵因素。上海材料刻蝕加工廠商

光刻過程中，光源的純凈度至關(guān)重要。上海MEMS材料刻蝕

顯影速度：顯影速率主要取決于使用的光刻膠和反轉(zhuǎn)烘烤步驟的時間和溫度。反轉(zhuǎn)烘烤的溫度越高、時間越長，光引發(fā)劑的熱分解率就越高。在常規(guī)顯影液中，顯影速率>1um/min是比較常見的，但并不是每款膠都是這樣的。底切結(jié)構(gòu)的形成：過顯的程度(光刻膠開始顯影到顯影完成的時間)對底切結(jié)構(gòu)的形成有明顯的影響。如圖3所示，在充分顯影后，隨著顯影時間的延長，底切的程度會表現(xiàn)更明顯。對于實際應(yīng)用中，建議30%的過度顯影是個比較合適的節(jié)點：在高深寬比的應(yīng)用中，必須注意，過度的底切結(jié)構(gòu)有可能會導(dǎo)致光刻膠漂膠。足夠的光刻膠厚度：在使用方向性比較好的鍍膜方式中，鍍膜材料的厚度甚至可以大于光刻膠的厚度。因為，蒸發(fā)的材料在空隙區(qū)域上緩慢地生長在一起，從而襯底上生長的材料形成一個下面大上面小的梯形截面結(jié)構(gòu)。上海MEMS材料刻蝕