氧等離子去膠是利用氧氣在微波或射頻發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機(jī)聚合物發(fā)生氧化反應(yīng)，是的有機(jī)聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達(dá)到去除光刻膠的目的，這個(gè)過程我們有時(shí)候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡(jiǎn)單、適應(yīng)性更好。市面上常見氧等離子去膠機(jī)按照頻率可分為微波等離子去膠機(jī)和射頻等離子去膠機(jī)兩種，微波等離子去膠機(jī)的工作頻率更高，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的激子濃度、更小的自偏壓，更高的激子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對(duì)襯底的刻蝕效應(yīng)更小，也意味著去膠過程中對(duì)襯底無損傷，而射頻等離子去膠機(jī)其工作原理與刻蝕機(jī)相似，結(jié)構(gòu)上更加簡(jiǎn)單。在曝光這一步中，將使用特定波長(zhǎng)的光對(duì)覆蓋襯底的光刻膠進(jìn)行選擇性地照射。湖北光刻外協(xié)

濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。包括三個(gè)基本過程：刻蝕、沖洗和甩干。濕法蝕刻的微觀反應(yīng)過程，首先溶液里的反應(yīng)物利用濃度差通過擴(kuò)散作用達(dá)到被蝕刻薄膜表面，然后反應(yīng)物與薄膜表面的分子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，并產(chǎn)生各種生成物，生成物通過擴(kuò)散作用到達(dá)溶液中，隨著溶液被排出。濕法蝕刻的影響因素分別為：反應(yīng)溫度，溶液濃度，蝕刻時(shí)間和溶液的攪拌作用。根據(jù)化學(xué)反應(yīng)原理，溫度越高，反應(yīng)物濃度越大，蝕刻速率越快，蝕刻時(shí)間越短，攪拌作用可以加速反應(yīng)物和生成物的質(zhì)量傳輸，相當(dāng)于加快擴(kuò)散速度，增加反應(yīng)速度。濕法蝕刻的影響因素分別為：反應(yīng)溫度，溶液濃度，蝕刻時(shí)間和溶液的攪拌作用。根據(jù)化學(xué)反應(yīng)原理，溫度越高，反應(yīng)物濃度越大，蝕刻速率越快，蝕刻時(shí)間越短，攪拌作用可以加速反應(yīng)物和生成物的質(zhì)量傳輸，相當(dāng)于加快擴(kuò)散速度，增加反應(yīng)速度。甘肅紫外光刻濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的。

顯影速度：顯影速率主要取決于使用的光刻膠和反轉(zhuǎn)烘烤步驟的時(shí)間和溫度。反轉(zhuǎn)烘烤的溫度越高、時(shí)間越長(zhǎng)，光引發(fā)劑的熱分解率就越高。在常規(guī)顯影液中，顯影速率>1um/min是比較常見的，但并不是每款膠都是這樣的。底切結(jié)構(gòu)的形成：過顯的程度(光刻膠開始顯影到顯影完成的時(shí)間)對(duì)底切結(jié)構(gòu)的形成有明顯的影響。如圖3所示，在充分顯影后，隨著顯影時(shí)間的延長(zhǎng)，底切的程度會(huì)表現(xiàn)更明顯。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中，建議30%的過度顯影是個(gè)比較合適的節(jié)點(diǎn)：在高深寬比的應(yīng)用中，必須注意，過度的底切結(jié)構(gòu)有可能會(huì)導(dǎo)致光刻膠漂膠。足夠的光刻膠厚度：在使用方向性比較好的鍍膜方式中，鍍膜材料的厚度甚至可以大于光刻膠的厚度。因?yàn)?，蒸發(fā)的材料在空隙區(qū)域上緩慢地生長(zhǎng)在一起，從而襯底上生長(zhǎng)的材料形成一個(gè)下面大上面小的梯形截面結(jié)構(gòu)。

厚膠光學(xué)光刻具有工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、與現(xiàn)有IC工藝流程兼容性好、制作成本低等優(yōu)點(diǎn)，是用來制作大深度微光學(xué)、微機(jī)械、微流道結(jié)構(gòu)元件的一種很重要的方法和手段，具有廣闊的應(yīng)用前景，因而是微納加工技術(shù)研究中十分活躍的領(lǐng)域。厚膠光刻是一個(gè)多參量的動(dòng)態(tài)變化過程，多種非線性畸變因素的存在，使得對(duì)其理論和實(shí)驗(yàn)的研究，與薄膠相比要復(fù)雜得多。厚層光刻膠顯影后抗蝕劑浮雕輪廓不僅可以傳遞圖形，而且可以直接作為工作部件、微機(jī)械器件封裝材料等。例如SU—8光刻膠具有良好的力學(xué)特性，可直接作為微齒輪、微活塞等部件的工作材料。隨著厚膠光學(xué)光刻技術(shù)的成熟和完善，該技術(shù)不僅可以制作大深度、大深寬比臺(tái)階型微結(jié)構(gòu)元件，而且可以制作大深度連續(xù)面形微結(jié)構(gòu)元件。下一代光刻技術(shù)將探索更多光源類型和圖案化方法。

電子束曝光指使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術(shù)的延伸應(yīng)用。它的特點(diǎn)是分辨率高、圖形產(chǎn)生與修改容易、制作周期短。它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類，其中掃描曝光系統(tǒng)是電子束在工件面上掃描直接產(chǎn)生圖形，分辨率高，生產(chǎn)率低。投影曝光系統(tǒng)實(shí)為電子束圖形復(fù)印系統(tǒng)，它將掩模圖形產(chǎn)生的電子像按原尺寸或縮小后復(fù)印到工件上，因此不僅保持了高分辨率，而且提高了生產(chǎn)率。電子束曝光系統(tǒng)一般包括如下配件：電子束源：熱電子發(fā)射和場(chǎng)發(fā)射、電磁透鏡系統(tǒng)、Stage系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)。通常來說，電子束的束斑大小決定了曝光設(shè)計(jì)線寬，設(shè)計(jì)線寬應(yīng)至少為束斑的3倍以上。由于電子束的束斑大小和束流大小、光闌大小等直接的相關(guān)，而束流大小、步距等又決定了曝光時(shí)間的長(zhǎng)短。因此，工作時(shí)需要綜合考慮決定采用的束流及工作模式。鋁的濕法刻蝕溶液主要是磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液。功率器件光刻

光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。湖北光刻外協(xié)

曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（被稱為當(dāng)前層（currentlayer）必須與晶圓襯底上已有的圖形（被稱為參考層（referencelayer））對(duì)準(zhǔn)。這樣才能保證器件各部分之間連接正確。對(duì)準(zhǔn)誤差太大是導(dǎo)致器件短路和斷路的主要原因之一，它極大地影響器件的良率。在集成電路制造的流程中，有專門的設(shè)備通過測(cè)量晶圓上當(dāng)前圖形（光刻膠圖形）與參考圖形（襯底內(nèi)圖形）之間的相對(duì)位置來確定套刻的誤差（overlay）。套刻誤差定量地描述了當(dāng)前的圖形相對(duì)于參考圖形沿X和Y方向的偏差，以及這種偏差在晶圓表面的分布。與圖形線寬（CD）一樣，套刻誤差也是監(jiān)測(cè)光刻工藝好壞的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。理想的情況是當(dāng)前層與參考層的圖形正對(duì)準(zhǔn)，即套刻誤差是零。為了保證設(shè)計(jì)在上下兩層的電路能可靠連接，當(dāng)前層中的某一點(diǎn)與參考層中的對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的對(duì)準(zhǔn)偏差必須小于圖形間距的1／3。湖北光刻外協(xié)