濕法刻蝕是集成電路制造工藝采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。尤其是在對(duì)氧化物去除殘留與表皮剝離的刻蝕中，比干法刻蝕更為有效和經(jīng)濟(jì)。濕法刻蝕的對(duì)象主要有氧化硅、氮化硅、單晶硅或多晶硅等。濕法刻蝕氧化硅通常采用氫氟酸（HF）為主要化學(xué)載體。為了提高選擇性，工藝中采用氟化銨緩沖的稀氫氟酸。為了保持pH值穩(wěn)定，可以加入少量的強(qiáng)酸或其他元素。摻雜的氧化硅比純氧化硅更容易腐蝕。濕法化學(xué)剝離(WetRemoval）主要是為了去除光刻膠和硬掩模（氮化硅）。熱磷酸（H3PO4）是濕法化學(xué)剝離去除氮化硅的主要化學(xué)液，對(duì)于氧化硅有較好的選擇比。在進(jìn)行這類化學(xué)剝離工藝前，需要將附在表面的氧化硅用HF酸進(jìn)行預(yù)處理，以便將氮化硅均勻地消除掉?？棠z顯影完成后，圖形就基本確定，不過還需要使光刻膠的性質(zhì)更為穩(wěn)定。上海MEMS光刻

氧等離子去膠是利用氧氣在微波或射頻發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機(jī)聚合物發(fā)生氧化反應(yīng)，是的有機(jī)聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達(dá)到去除光刻膠的目的，這個(gè)過程我們有時(shí)候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡(jiǎn)單、適應(yīng)性更好。市面上常見氧等離子去膠機(jī)按照頻率可分為微波等離子去膠機(jī)和射頻等離子去膠機(jī)兩種，微波等離子去膠機(jī)的工作頻率更高，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的激子濃度、更小的自偏壓，更高的激子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對(duì)襯底的刻蝕效應(yīng)更小，也意味著去膠過程中對(duì)襯底無損傷，而射頻等離子去膠機(jī)其工作原理與刻蝕機(jī)相似，結(jié)構(gòu)上更加簡(jiǎn)單。浙江曝光光刻光刻膠根據(jù)其感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)也可以分為光交聯(lián)性、光聚合型、光分解型和化學(xué)放大型。

對(duì)于透明基片的雙面光刻加工，其準(zhǔn)標(biāo)記可靈活設(shè)計(jì)，沿目鏡的光軸上方的圖案區(qū)域如果是不透光的，該區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)成透光十字或透光方框作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如果目鏡光軸上方掩模板圖案區(qū)域是透光的，該區(qū)域設(shè)計(jì)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以設(shè)計(jì)成十字型或方框。不管是十字型還是方框型，都是參照內(nèi)部的邊和角進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)。綜合考慮到物距不一成像大小不同的因素，兩塊掩模板的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也可以設(shè)計(jì)成大小不一的，以掩模板和基片標(biāo)記成像方便觀測(cè)對(duì)準(zhǔn)為原則。雙面光刻調(diào)制盤作為光路一部分用于約束光束，加工完成后，要用不透明的涂料涂覆標(biāo)記圖案及搜索線即可，即便沒有搜索線，由于小方框?qū)?zhǔn)標(biāo)記是透光的，也不免要用涂料涂覆，涂料對(duì)于測(cè)量狹縫和機(jī)械裝配公差配合沒有影響。

在反轉(zhuǎn)工藝下，通過適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁形態(tài)。這種方法的主要應(yīng)用領(lǐng)域是剝離過程，在剝離過程中，底切的形態(tài)可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜，有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。在圖像反轉(zhuǎn)烘烤步驟中，光刻膠的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性可以得到部分改善。因此，光刻膠在后續(xù)的工藝中如濕法、干法蝕刻以及電鍍中都體現(xiàn)出一定的優(yōu)勢(shì)。然而，這些優(yōu)點(diǎn)通常被比較麻煩的圖像反轉(zhuǎn)處理工藝的缺點(diǎn)所掩蓋。如額外增加的處理步驟很難或幾乎不可能獲得垂直的光刻膠側(cè)壁結(jié)構(gòu)。因此，圖形反轉(zhuǎn)膠更多的是被應(yīng)用于光刻膠剝離應(yīng)用中。與正膠相比，圖形反轉(zhuǎn)工藝需要反轉(zhuǎn)烘烤和泛曝光步驟，這兩個(gè)步驟使得曝光的區(qū)域在顯影液中不能溶解，并且使曝光中尚未曝光的區(qū)域能夠被曝光。沒有這兩個(gè)步驟，圖形反轉(zhuǎn)膠表現(xiàn)為具有與普通正膠相同側(cè)壁的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，只有在圖形反轉(zhuǎn)工藝下才能獲得底切側(cè)壁結(jié)構(gòu)的光刻膠輪廓形態(tài)。通過光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件。

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將被刻蝕固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，是因?yàn)樗褂玫母g液可以非常精確地腐蝕特定薄膜。對(duì)于大多數(shù)刻蝕方案，選擇性大于100:1。濕法腐蝕必須滿足以下要求：1.不得腐蝕掩模層；2.選擇性必須高；3.蝕刻過程必須能夠通過用水稀釋來停止；4.反應(yīng)產(chǎn)物是氣態(tài)的少；5.整個(gè)過程中的蝕刻速率始終保持恒定；6.反應(yīng)產(chǎn)物一般是可溶，以避免顆粒；7.環(huán)境安全和廢液易于處置。光刻膠的粘度是一個(gè)非常重要的參數(shù)，它對(duì)指導(dǎo)光刻膠的涂膠至為重要。黏度（viscosity）用于衡量光刻膠液體的可流動(dòng)性。實(shí)時(shí)監(jiān)控和反饋系統(tǒng)優(yōu)化了光刻工藝的穩(wěn)定性。上海MEMS光刻

底部對(duì)準(zhǔn)（ BSA）技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)“ 雙面對(duì)準(zhǔn)，單面曝光”。上海MEMS光刻

光刻機(jī)被稱作“現(xiàn)代光學(xué)工業(yè)之花”，生產(chǎn)制造全過程極為繁雜，一臺(tái)光刻機(jī)的零配件就達(dá)到10萬個(gè)。ASML光刻機(jī)也不是荷蘭以一國(guó)之力造出的，ASML公司的光刻機(jī)采用了美國(guó)光源設(shè)備及技術(shù)工藝，也選用了德國(guó)卡爾蔡司的光學(xué)鏡頭先進(jìn)設(shè)備，絕大多數(shù)零部件都需用從海外進(jìn)口，匯聚了全世界科技強(qiáng)國(guó)的科技，才可以制作出一臺(tái)光刻機(jī)。上海微電子占有著中國(guó)80%之上的市場(chǎng)占有率，現(xiàn)階段中國(guó)銷售市場(chǎng)上絕大多數(shù)智能機(jī)都采用了上海微電子的現(xiàn)代化封裝光刻機(jī)技術(shù)，而先前這種光刻機(jī)都在進(jìn)口?，F(xiàn)階段，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的困難關(guān)鍵在于沒法生產(chǎn)制造高精密的零配件，ASML的零配件來源于美國(guó)、德國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家，而現(xiàn)階段在我國(guó)還無法掌握這種技術(shù)，也很難買到?，F(xiàn)階段，上海微電子能夠生產(chǎn)加工90nm的光刻機(jī)，而ASML能夠生產(chǎn)制造7nm乃至5nm的EUV光刻機(jī)，相差還是非常大。上海MEMS光刻