避免 / 減少 SEM 樣品損傷的關(guān)鍵措施 1. 針對(duì) “電荷積累”：解決導(dǎo)電性問題 絕緣樣品噴鍍導(dǎo)電層：噴金（Au）、噴碳（C）或噴鉑（Pt），厚度 5-20nm（薄鍍層可減少對(duì)微觀細(xì)節(jié)的遮擋）； 采用低加速電壓（≤5kV）：降低電子束能量，減少電荷注入； 使用環(huán)境 SEM（ESEM）：樣品室維持低真空（含少量水汽 / 氮?dú)猓脷怏w電離傳導(dǎo)電荷，無(wú)需噴鍍。

2. 針對(duì) “熱效應(yīng)”：降低能量輸入 降低加速電壓（常規(guī)形貌觀察用 5-10kV，無(wú)需高電壓）； 減小束流（選擇 “低束流模式”，如 pA 量級(jí)，而非 μA 量級(jí)）； 縮短掃描時(shí)間：避免對(duì)同一區(qū)域長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)掃描，采用 “快速掃描模式”； 冷卻樣品臺(tái)：對(duì)熱敏樣品（如生物、高分子）使用液氮冷卻臺(tái)，降低表面溫度。