26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。常州本地集成電路圖片

后來，到了城市里，或者鄉(xiāng)村城鎮(zhèn)化，大家都住進了樓房或者套房，一套房里面，有客廳、臥室、廚房、衛(wèi)生間、陽臺，也許只有幾十平方米，卻具有了原來占地幾百平方米的農(nóng)村房屋的各種功能，這就是集成。當然現(xiàn)如今的集成電路，其集成度遠非一套房能比擬的，或許用一幢摩登大樓可以更好地類比：地面上有商鋪、辦公、食堂、酒店式公寓，地下有幾層是停車場，停車場下面還有地基——這是集成電路的布局，模擬電路和數(shù)字電路分開，處理小信號的敏感電路與翻轉頻繁的控制邏輯分開，電源單獨放在一角。常州本地集成電路圖片扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。

另外，有的LSI廠家把引腳中心距為0.5mm的QFP專門稱為收縮型QFP或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm及0.4mm的QFP也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂。QFP的缺點是，當引腳中心距小于0.65mm時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已出現(xiàn)了幾種改進的QFP品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP（見BQFP）；帶樹脂保護環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP（見GQFP）；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的**夾具里就可進行測試的TPQFP（見TPQFP）。在邏輯LSI方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。引腳中心距**小為0.4mm、引腳數(shù)**多為348的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP（見Gerqa d）。

集成電路或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學中是一種把電路（主要包括半導體裝置，也包括被動元件等）小型化的方式，并通常制造在半導體晶圓表面上。前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導體設備和被動元件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。本文是關于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。

集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優(yōu)點，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在***、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩(wěn)定工作時間也可**提高。功能結構集成電路集成電路，又稱為IC，按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/?；旌霞呻娐啡箢?。小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱?；萆絽^(qū)名優(yōu)集成電路銷售廠家

前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。常州本地集成電路圖片

這就是初期集成電路的構想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管，而在此之前要實現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導體的集成電路的構想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。常州本地集成電路圖片

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