39、P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有時候是塑料QFJ的別稱，有時候是QFN（塑料LCC）的別稱（見QFJ和QFN）。部分LSI廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P－LCC表示無引線封裝，以示區(qū)別。40、QFH（quad flat high package）四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP本體制作得較厚（見QFP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。41、QFI（quad flat I-leaded packgac）四側(cè)I形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出，向下呈I字。也稱為MSP（見MSP）。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面積小于QFP。日立制作所為視頻模擬IC開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18于68。錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。濱湖區(qū)質(zhì)量集成電路產(chǎn)品介紹

7、測試儀表內(nèi)阻要大測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如：肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標(biāo)準(zhǔn)T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA（ball grid array）江蘇常見集成電路產(chǎn)品介紹表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。

后來，到了城市里，或者鄉(xiāng)村城鎮(zhèn)化，大家都住進(jìn)了樓房或者套房，一套房里面，有客廳、臥室、廚房、衛(wèi)生間、陽臺，也許只有幾十平方米，卻具有了原來占地幾百平方米的農(nóng)村房屋的各種功能，這就是集成。當(dāng)然現(xiàn)如今的集成電路，其集成度遠(yuǎn)非一套房能比擬的，或許用一幢摩登大樓可以更好地類比：地面上有商鋪、辦公、食堂、酒店式公寓，地下有幾層是停車場，停車場下面還有地基——這是集成電路的布局，模擬電路和數(shù)字電路分開，處理小信號的敏感電路與翻轉(zhuǎn)頻繁的控制邏輯分開，電源單獨放在一角。

19、H-（with heat sink）表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。20、pin grid array（surface mount type）集成電路表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多（250～528），是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。

QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是比標(biāo)準(zhǔn)DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。無錫質(zhì)量集成電路圖片

它在電路中用字母“IC”表示。濱湖區(qū)質(zhì)量集成電路產(chǎn)品介紹

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管，而在此之前要實現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。濱湖區(qū)質(zhì)量集成電路產(chǎn)品介紹

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