使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件,然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線,如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量,導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成,每層由圖像技術定義,通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構成。集成電路的產生,任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅動力的,而驅動力往往來源于問題。江陰常見集成電路產品介紹

19、H-(with heat sink)表示帶散熱器的標記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。20、pin grid array(surface mount type)集成電路表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA小一半,所以封裝本體可制作得不怎么大,而引腳數(shù)比插裝型多(250~528),是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。無錫標準集成電路服務熱線小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。

成本較高。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從64到447左右。為了為降低成本,封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64~256引腳的塑料PGA。另外,還有一種引腳中心距為1.27mm的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝型PGA)。37、piggy back馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝,形關與DIP、QFP、QFN相似。在開發(fā)帶有微機的設備時用于評價程序確認操作。例如,將EPROM插入插座進行調試。這種封裝基本上都是定制品,市場上不怎么流通。
MCM-D是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的,但成本也高。28、MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見SOP和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。29、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美國聯(lián)合電子設備委員會)標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm~2.0mm的標準QFP(見QFP)。30、MQUAD(metal quad)同上。日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。

21、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。22、LCC(Leadless chip carrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。23、LGA(land grid array)觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?,F(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。電壓測量或用示波器探頭測試波形時,避免造成引腳間短路,在與引腳直接連通的印刷電路上進行測量。無錫標準集成電路服務熱線
任何瞬間的短路都容易損壞集成電路,尤其在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時更要加倍小心。江陰常見集成電路產品介紹
5、Cerquad集成電路表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好,在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。江陰常見集成電路產品介紹
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