3、嚴(yán)禁在無(wú)隔離變壓器的情況下，用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測(cè)試無(wú)電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器，當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時(shí)，首先要弄清該機(jī)底盤(pán)是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。4、要注意電烙鐵的絕緣性能不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認(rèn)烙鐵不帶電，比較好把烙鐵的外殼接地，對(duì)MOS電路更應(yīng)小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。測(cè)量集成電路引腳直流電壓時(shí)，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬(wàn)用表，對(duì)某些引腳電壓會(huì)有較大的測(cè)量誤差。宜興常見(jiàn)集成電路圖片

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開(kāi)發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類(lèi)。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類(lèi)似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM－L。錫山區(qū)質(zhì)量集成電路市價(jià)表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。

集成電路或稱(chēng)微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動(dòng)元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱(chēng)薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)元件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片（monolithic）集成電路，即薄膜集成電路。

45、QFP（FP）（QFP fine pitch）小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱(chēng)。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP（見(jiàn)QFP）。46、QIC（quad in-line ceramic package）陶瓷QFP的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)（見(jiàn)QFP、Cerquad）。47、QIP（quad in-line plastic package）塑料QFP的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)（見(jiàn)QFP）。48、QTCP（quad tape carrier package）四側(cè)引腳帶載封裝。TCP封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利用TAB技術(shù)的薄型封裝（見(jiàn)TAB、TCP）。49、QTP（quad tape carrier package）四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993年4月對(duì)QTCP所制定的外形規(guī)格所用的名稱(chēng)（見(jiàn)TCP）。50、QUIL（quad in-line）觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。

集成度高低集成電路按集成度高低的不同可分為：SSIC 小規(guī)模集成電路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中規(guī)模集成電路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大規(guī)模集成電路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大規(guī)模集成電路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大規(guī)模集成電路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大規(guī)模集成電路也被稱(chēng)作極大規(guī)模集成電路或超特大規(guī)模集成電路（Giga Scale Integration）。導(dǎo)電類(lèi)型不同QFI的別稱(chēng)（見(jiàn)QFI），在開(kāi)發(fā)初期多稱(chēng)為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。江陰質(zhì)量集成電路產(chǎn)品介紹

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱(chēng)。宜興常見(jiàn)集成電路圖片

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名（見(jiàn)DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見(jiàn)QFP和SOP）的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱(chēng)。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹(shù)脂來(lái)加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。宜興常見(jiàn)集成電路圖片

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