5、要保證焊接質(zhì)量焊接時確實焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看,比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路,確認無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數(shù)為直接耦合,一旦某一電路不正常,可能會導(dǎo)致多處電壓變化,而這些變化不一定是集成電路損壞引起的,另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時,也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數(shù)字集成電路。惠山區(qū)常見集成電路廠家現(xiàn)貨

成本較高。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從64到447左右。為了為降低成本,封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64~256引腳的塑料PGA。另外,還有一種引腳中心距為1.27mm的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝型PGA)。37、piggy back馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝,形關(guān)與DIP、QFP、QFN相似。在開發(fā)帶有微機的設(shè)備時用于評價程序確認操作。例如,將EPROM插入插座進行調(diào)試。這種封裝基本上都是定制品,市場上不怎么流通。南京本地集成電路生產(chǎn)廠家薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝?;迮c封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。31、MSP(mini square package)QFI的別稱(見QFI),在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)
13、DIP(dual tape carrier package)同上。日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。14、FP(flat package)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一,在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點,然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同,就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng),從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片,并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。例如半導(dǎo)體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),其輸入信號和輸出信號成比例關(guān)系。

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱為SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH-DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。54、SIL(single in-line)SIP的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個名稱。55、SIMM(single in-line memory module)單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經(jīng)在個人計算機、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30~40%的DRAM都裝配在SIMM里。集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。南京質(zhì)量集成電路圖片
陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。惠山區(qū)常見集成電路廠家現(xiàn)貨
外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜,成本高,90年代基本上不怎么使用。預(yù)計今后對其需求會有所增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu),芯片的中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱?;萆絽^(qū)常見集成電路廠家現(xiàn)貨
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