外,由于引線的阻抗小,對(duì)于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜,成本高,90年代基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu),芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn),用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來(lái)把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和集成電路。宜興本地集成電路廠家價(jià)格

美國(guó)Olin公司開(kāi)發(fā)的一種QFP封裝?;迮c封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開(kāi)始生產(chǎn)。31、MSP(mini square package)QFI的別稱(見(jiàn)QFI),在開(kāi)發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹(shù)脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola公司對(duì)模壓樹(shù)脂密封BGA采用的名稱(見(jiàn)BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)宜興本地集成電路廠家價(jià)格QFI的別稱(見(jiàn)QFI),在開(kāi)發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。

5、Cerquad集成電路表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好,在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出,呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見(jiàn)QFJ)。
9、DIL(dual in-line)DIP的別稱(見(jiàn)DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。10、DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見(jiàn)cerdip)。同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名(見(jiàn)DTCP)。

3、嚴(yán)禁在無(wú)隔離變壓器的情況下,用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測(cè)試無(wú)電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器,當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時(shí),首先要弄清該機(jī)底盤是否帶電,否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路,波及集成電路,造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。4、要注意電烙鐵的絕緣性能不允許帶電使用烙鐵焊接,要確認(rèn)烙鐵不帶電,比較好把烙鐵的外殼接地,對(duì)MOS電路更應(yīng)小心,能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見(jiàn)QFN)。江陰質(zhì)量集成電路生產(chǎn)廠家
因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。宜興本地集成電路廠家價(jià)格
26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開(kāi)發(fā)的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。27、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。 MCM-C是用厚膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM-L。宜興本地集成電路廠家價(jià)格
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