7、測試儀表內(nèi)阻要大測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如：肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標準T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA（ball grid array）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。無錫好的集成電路圖片

56、SIP（single in-line package）單列直插式封裝。引腳從封裝一個側(cè)面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。57、SK－DIP（skinny dual in-line package）DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP（見DIP）。58、SL－DIP（slim dual in-line package）DIP的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。59、SMD（surface mount devices）南京常見集成電路現(xiàn)貨錄像機用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、驅(qū)動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。 [6]

65、SOP（small Out-Line package）小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀（L字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存儲器LSI外，也***用于規(guī)模不太大的ASSP等電路。在輸入輸出端子不超過10～40的領(lǐng)域，SOP是普及**廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8～44。另外，引腳中心距小于1.27mm的SOP也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm的SOP也稱為TSOP（見SSOP、TSOP）。還有一種帶有散熱片的SOP。66、SOW（Small Outline Package（Wide-Jype））寬體SOP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右（見QFP）。

5、要保證焊接質(zhì)量焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看，比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。常州質(zhì)量集成電路生產(chǎn)廠家

J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。無錫好的集成電路圖片

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。無錫好的集成電路圖片

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