65、SOP（small Out-Line package）小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀（L字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存儲器LSI外，也***用于規(guī)模不太大的ASSP等電路。在輸入輸出端子不超過10～40的領(lǐng)域，SOP是普及**廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8～44。另外，引腳中心距小于1.27mm的SOP也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm的SOP也稱為TSOP（見SSOP、TSOP）。還有一種帶有散熱片的SOP。66、SOW（Small Outline Package（Wide-Jype））寬體SOP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。新吳區(qū)常見集成電路工廠直銷

當沒有特別表示出材料時，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業(yè)會對QFP的外形規(guī)格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。新吳區(qū)常見集成電路工廠直銷薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

38、PLCC（plastic leaded chip carrier）帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已經(jīng)普及用于邏輯LSI、DLD（或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC（也稱QFN）相似。以前，兩者的區(qū)別*在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝（標記為塑料LCC、PC LP、P－LCC等），已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機械工業(yè)會于1988年決定，把從四側(cè)引出J形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點的封裝稱為QFN（見QFJ和QFN）。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。 [6]雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。

5、Cerquad集成電路表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G（見QFJ）。集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。新吳區(qū)常見集成電路工廠直銷

功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。新吳區(qū)常見集成電路工廠直銷

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。新吳區(qū)常見集成電路工廠直銷

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