濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學反應。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無論條件調(diào)整得多么精細，濕法蝕刻都難以實現(xiàn)1μm以下的精細加工。其原因之一是需要控制側(cè)面蝕刻。側(cè)蝕是一種也稱為底切的現(xiàn)象。即使希望通過濕式蝕刻在垂直方向（深度方向）溶解材料，也不可能完全防止溶液腐蝕側(cè)面，因此材料在平行方向的溶解將不可避免地進行。由于這種現(xiàn)象，濕蝕刻隨機產(chǎn)生比目標寬度窄的部分。這樣，在加工需要精密電流控制的產(chǎn)品時，再現(xiàn)性低，精度不可靠。光刻間的照明光為黃光。曝光光刻加工平臺

基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。曝光光刻加工平臺自動化光刻設(shè)備大幅提高了生產(chǎn)效率和精度。

現(xiàn)有光刻主要利用的是光刻膠中光敏分子的單光子吸收效應所誘導的光化學反應。光敏分子吸收一個能量大于其比較低躍遷能級的光子，從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，經(jīng)過電子態(tài)之間的轉(zhuǎn)移生成活性種，誘發(fā)光聚合、光分解等化學反應，使光刻膠溶解特性發(fā)生改變。光刻分辨率的物理極限與光源波長和光刻物鏡數(shù)值孔徑呈線性關(guān)系，提高光刻分辨率主要通過縮短光刻光源波長來實現(xiàn)。盡管使用的光刻光源波長從可見光（G線，436nm）縮短到紫外（Ⅰ線，365nm）、深紫外（KrF，248nm；ArF，193nm）甚至極紫外（EUV，13.5nm）波段，由于光學衍射極限的限制，其分辨率極限在半個波長左右。

光刻對準技術(shù)是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大主要技術(shù)之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高，對準精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推動，對準技術(shù)也經(jīng)歷迅速而多樣的發(fā)展。從對準原理上及標記結(jié)構(gòu)分類，對準技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式、干涉強度對準、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式。光刻膠的選擇直接影響芯片的性能和良率。

曝光后烘烤是化學放大膠工藝中很關(guān)鍵，也是反應機理很復雜的一道工序。后烘過程中，化學放大膠內(nèi)存在多種反應機制，情況復雜并相互影響。例如各反應基團的擴散，蒸發(fā)將導致抗蝕刑的組成分布梯度變化：基質(zhì)樹脂中的去保護基團會引起膠膜體積增加但當烘烤溫度達到光刻膠的玻璃化溫度時基質(zhì)樹脂又并始變得稠密兩者同時又都會影響膠膜中酸的擴散，且影響作用相反。這眾多的反應機制都將影響到曝光圖形，因此烘烤的溫度、時間和曝光與烘烤之間停留的時間間隔都是影響曝光圖形線寬的重要因素。光刻膠的固化過程需要精確控制溫度和時間。重慶光刻服務

光掩膜版的制作則是通過無掩膜光刻技術(shù)得到。曝光光刻加工平臺

第三代為掃描投影式光刻機。中間掩模版上的版圖通過光學透鏡成像在基片表面，有效地提高了成像質(zhì)量，投影光學透鏡可以是1∶1，但大多數(shù)采用精密縮小分步重復曝光的方式（如1∶10，1∶5，1∶4）。IC版圖面積受限于光源面積和光學透鏡成像面積。光學曝光分辨率增強等光刻技術(shù)的突破，把光刻技術(shù)推進到深亞微米及百納米級。第四代為步進式掃描投影光刻機。以掃描的方式實現(xiàn)曝光，采用193nm的KrF準分子激光光源，分步重復曝光，將芯片的工藝節(jié)點提升一個臺階。實現(xiàn)了跨越式發(fā)展，將工藝推進至180~130nm。隨著浸入式等光刻技術(shù)的發(fā)展，光刻推進至幾十納米級。第五代為EUV光刻機。采用波長為13.5nm的激光等離子體光源作為光刻曝光光源。即使其波長是193nm的1/14，幾乎逼近物理學、材料學以及精密制造的極限。曝光光刻加工平臺